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SIT(静電誘導型トランジスタ)は高周波大電力増幅用、高速スイッチング用として開発された、高耐圧・ 低内部抵抗の大電力半導体素子です。 ■主な特徴 ・高周波、電力増幅、高速スイッチングに適しています。 ・高耐圧、大電力用(VDGO=600〜1500V、PT=300〜3kW) ・ホットスポットが発生せず、温度特性が負のため熱暴走しません。 2SK-180 2SK-182ES * SITは他の型式も取り扱っております。品目別スペックはこちらをクリックしてください。 |